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[发明专利]用于区熔的多晶硅棒的预处理方法-CN202210781422.1有效
发明人：张天雨;田新;蒋文武;吴鹏;闫家强 -专利权人：江苏鑫华半导体科技股份有限公司
申请日： 2022-07-05 - 公布日： 2022-09-23 - 主分类号： C30B13/00 文献下载
摘要：本发明公开了一种用于区熔的多晶硅棒的预处理方法，该方法包括：（1）将机械法套取得到的多晶硅棒进行机械抛光，以便得到表面Ra为0.1~1μm的多晶硅棒；（2）将步骤（1）得到的多晶硅棒进行化学刻蚀，且控制刻蚀深度为30~40μm；（3）对步骤（2）得到的多晶硅棒进行清洗和干燥。该方法得到的多晶硅棒表面均匀致密，平坦度好，多晶硅棒表面隐裂去除的效果好，且不会对多晶硅棒表面造成二次损伤，且多晶硅棒的杂质去除率高，用该多晶硅棒区熔得到的单晶棒良率高且杂质含量稳定，从而能更真实的反映改良西门子法生产的多晶硅棒的非金属杂质含量，进而为下游多晶硅掺杂量的计算提供良好的数据支持，提高多晶硅产品品质。
用于多晶预处理方法

[发明专利]一种多晶硅样芯的制备方法-CN202111637037.1在审
发明人：郭荣;刘建中;曹得财;陈文凯;刘强强;刘禹劭;乔亮 -专利权人：陕西有色天宏瑞科硅材料有限责任公司
申请日： 2021-12-29 - 公布日： 2022-03-25 - 主分类号： B28D5/00 文献下载
摘要：本发明公开了一种多晶硅样芯的制备方法，涉及半导体制造技术领域。该方法的一具体实施方式包括：取第一多晶硅样棒，对所述第一多晶硅样棒进行横向切割，得到高度为50‑100mm的第一柱体多晶硅棒；根据所述第一柱体多晶硅棒直径不同，对所述第一柱体多晶硅棒纵向切割一刀、两刀或者四刀，然后从纵向切割后的所述第一柱体多晶硅棒上钻取硅芯样芯；取第二多晶硅样棒，对所述第二多晶硅样棒进行横向切割，得到高度为70‑100mm的第二柱体多晶硅棒；根据所述第二柱体多晶硅棒直径不同，对所述第二柱体多晶硅棒纵向切割一刀或两刀，然后从纵向切割后的所述第二柱体多晶硅棒上钻取生长层样芯。该实施方式能够解决成品率低、能耗高和浪费多晶硅的技术问题。
一种多晶硅样芯制备方法

[发明专利]多根多晶硅棒的取棒方法及其取棒装置和取棒装置组合件-CN200810107025.6有效
发明人：卡罗·保迪;玛太罗·玛塞里;皮艾罗·斯凯德拉 -专利权人：江西赛维LDK太阳能高科技有限公司
申请日： 2008-08-22 - 公布日： 2010-01-13 - 主分类号： C30B28/14 文献下载
摘要：本发明涉及一种光伏和半导体技术领域的多晶硅棒生产结束后的转移取棒方法及其取棒装置和取棒装置组合件，特别是涉及一种一次能取出多根多晶硅棒的取棒方法及其取棒装置和取棒装置组合件，面对分布在同轴的多个圆环上的多根多晶硅棒，先一次性取分布在最外圈圆环上的多晶硅棒，再一次性取次外圈圆环上的多晶硅棒，依次从外到里，一圈圈地取出所有多晶硅棒。取棒装置是由壁、空腔组成；取棒装置下部还设置有可以支撑断裂后的多晶硅棒的接触件。降低了在转移过程中多晶硅棒被污染的风险；使用本发明，大大简化了生产工艺，减少了转移多晶硅棒所需时间，降低了多晶硅生产周期；同时解决了操作工容易被多晶硅棒刮伤的危险。
多晶方法及其装置组合

[实用新型]一次能取出多根多晶硅棒的取棒装置和取棒装置组合件-CN200820137429.5有效
发明人：卡罗.保迪;玛太罗.玛塞里;皮艾罗.斯凯德拉 -专利权人：江西赛维LDK太阳能高科技有限公司
申请日： 2008-08-22 - 公布日： 2009-09-16 - 主分类号： C30B28/14 文献下载
摘要：本实用新型涉及一种光伏和半导体技术领域的多晶硅棒生产结束后的转移取棒方法及其取棒装置和取棒装置组合件，特别是涉及一种一次能取出多根多晶硅棒的取棒方法及其取棒装置和取棒装置组合件，面对分布在同轴的多个圆环上的多根多晶硅棒，先一次性取分布在最外圈圆环上的多晶硅棒，再一次性取次外圈圆环上的多晶硅棒，依次从外到里，一圈圈地取出所有多晶硅棒。取棒装置是由壁、空腔组成；取棒装置下部还设置有可以支撑断裂后的多晶硅棒的接触件。降低了在转移过程中多晶硅棒被污染的风险；使用本实用新型，大大简化了生产工艺，减少了转移多晶硅棒所需时间，降低了多晶硅生产周期；同时解决了操作工容易被多晶硅棒刮伤的危险。
一次取出多晶装置组合

[发明专利]多晶硅棒还原炉电气系统及其启动方法-CN201410258768.9有效
发明人：张玉泉;邓飞;薛涛;胡俊辉;李波;何克周;郑晨 -专利权人：陕西天宏硅材料有限责任公司
申请日： 2014-06-11 - 公布日： 2014-08-27 - 主分类号： C01B33/021 文献下载
摘要：本发明公开了多晶硅棒还原炉电气系统及其启动方法，特别涉及24对多晶硅棒还原炉的启动方法，包括：三圈布置的24对多晶硅棒，其中内圈分布4对多晶硅棒、中圈分布8对多晶硅棒、外圈分布12对多晶硅棒，上述24对多晶硅棒均连接调功柜电源，其中中圈分布8对多晶硅棒通过中圈隔离开关还连接有高压启动电源，其中内圈分布4对多晶硅棒还连接有四组晶闸管模块，且内圈中每对多晶硅棒对应一组反并联的晶闸管。
多晶还原电气系统及其启动方法

[发明专利]一种无接触破碎多晶硅的方法-CN201410057558.3无效
发明人：季静佳;王体虎 -专利权人：亚洲硅业（青海）有限公司
申请日： 2014-02-20 - 公布日： 2014-05-28 - 主分类号： B02C19/18 文献下载
摘要：本发明公开了一种无接触破碎多晶硅的方法，更具体的说，本发明公开了一种利用激光技术破碎多晶硅的方法。本发明的无接触破碎多晶硅的方法，把至少一束激光射向多晶硅棒或者多晶硅块，多晶硅棒或者多晶硅块的表面或者体内的局部区域吸收激光能量后，该多晶硅棒或多晶硅块的局部区域被瞬时加热。被加热的多晶硅棒或多晶硅块的局部区域膨胀，在多晶硅柱或多晶硅块的表面或体内产生热膨胀应力，致使多晶硅棒或多晶硅块破碎。
一种接触破碎多晶方法

[发明专利]多晶硅棒-CN202010558365.1在审
发明人：海东良一 -专利权人：三菱综合材料株式会社
申请日： 2013-06-20 - 公布日： 2020-09-11 - 主分类号： C30B29/06 文献下载
摘要：本发明提供一种多晶硅棒。通过FZ法使多晶硅棒单晶化时，不会发生错位且能够稳定地进行单晶化时的控制。多晶硅棒(11)具有多晶硅构成的种棒(11a)、以及在该种棒(11a)的外周面通过CVD法析出的多晶硅析出体(11b)。该多晶硅棒(11)被用作通过FZ法制备硅单晶的原料。另外，多晶硅棒(11)的直径为77mm以下，用光学显微镜以相对于种棒(11a)的轴线正交的截面观察多晶硅棒(11)时，长度为288μm以下且上述截面中的占有面积比例为78％以上的针状结晶在多晶硅析出体(11b)中以种棒(11a)为中心放射状地均匀分布。
多晶

[发明专利]电子级多晶硅棒热破碎方法-CN202210135541.X在审
发明人：闫家强;张天雨;田新;吴鹏;韩秀娟 -专利权人：江苏鑫华半导体材料科技有限公司
申请日： 2022-02-14 - 公布日： 2022-04-15 - 主分类号： B02C19/18 文献下载
摘要：本发明提出了一种电子级多晶硅棒热破碎方法，包括(1)采用第一传送单元将待加热的多晶硅棒传送至加热仓内，通过所述加热仓内的加热元件对所述多晶硅棒进行加热，加热过程中所述加热仓内充满保护气体；(2)采用所述第一传送单元将加热完成的所述多晶硅棒运出所述加热仓，并将所述多晶硅棒传送至冷却槽中进行快速冷却；(3)将冷却完成的所述多晶硅棒转移至第二传送单元上进行干燥；(4)采用所述第二传送单元将干燥完成的所述多晶硅棒传送至接料槽内，进行破碎，以获得破碎的多晶硅棒由此，能避免多晶硅棒在破碎过程中被污染，同时，多晶硅棒通过晶间应力破碎，可避免大量碎屑和微粉的产生。
电子多晶硅棒热破碎方法

[发明专利]一种多晶硅棒破碎装置及方法-CN201810163162.5有效
发明人：张孝山;汪生菊;金珍海;汪成洋;陈斌;镡菊英 -专利权人：亚洲硅业（青海）股份有限公司
申请日： 2018-02-26 - 公布日： 2020-07-28 - 主分类号： B02C1/00 文献下载
摘要：本发明涉及多晶硅生产领域，具体涉及一种多晶硅棒破碎装置及方法。本发明的实施例中提供的多晶硅棒破碎装置，在破碎过程中，将还原内的多晶硅棒置入盛有制冷剂(如液氩或液氮)的容纳腔中，硅棒快速冷却，多晶硅棒在制冷剂中自然破碎。采用制冷剂对刚停炉的多晶硅棒进行冷却，充分利用多晶硅棒生成的余温。敲击装置对多晶硅棒进一步破碎。进料管道用于向冷却装置提供制冷剂，出料管道用于将使用后的制冷剂回收置入储物装置中，形成冷却循环。设置控制装置，便于实现多晶硅棒破碎装置的自动化。本发明的实施例中提供的多晶硅棒破碎装置具备有节约人力、物力，在充分破碎的同时大大提高破碎效率的显著效果。
一种多晶破碎装置方法

[发明专利]一种多晶硅棒材料的高洁净度退火方法-CN202110970253.1有效
发明人：韩颖超;赵佑晨;余正飞;李长苏 -专利权人：杭州盾源聚芯半导体科技有限公司
申请日： 2021-08-23 - 公布日： 2021-11-09 - 主分类号： C30B33/02 文献下载
摘要：本发明公开了一种多晶硅棒材料的高洁净度退火方法，包括多晶硅棒脱脂清洗、多晶硅棒纯水一次浸泡、多晶硅棒混酸刻蚀、多晶硅棒纯水二次浸泡、多晶硅棒氮气吹干、退火炉清洗、多晶硅棒退火；该多晶硅棒材料表面油脂含量低，且材料体相金属含量低，具有很好的机械加工效果，能够满足芯片制造工艺，并在多晶硅棒脱脂清洗过程中制备了一种脱脂粉，将明胶溶解加入中间体6，在1‑羟基苯并三唑的作用下，中间体6上的羧基与明胶表面的氨基发生脱水缩合，与中间体4继续反应，再用氯乙酸钠进行处理，制得脱脂粉，该脱脂粉能够将自身表面活性分子渗透到油脂中，与多晶硅棒表面隔开，并将油脂乳化分散到水中，达到脱脂效果。
一种多晶材料洁净退火方法

[发明专利]多晶硅棒-CN201310247464.8在审
发明人：海东良一 -专利权人：三菱综合材料株式会社
申请日： 2013-06-20 - 公布日： 2014-01-15 - 主分类号： C30B29/06 文献下载
摘要：通过FZ法使多晶硅棒单晶化时，不会发生错位且能够稳定地进行单晶化时的控制。多晶硅棒（11）具有多晶硅构成的种棒（11a）、以及在该种棒（11a）的外周面通过CVD法析出的多晶硅析出体（11b）。该多晶硅棒（11）被用作通过FZ法制备硅单晶的原料。另外，多晶硅棒（11）的直径为77mm以下，用光学显微镜以相对于种棒（11a）的轴线正交的截面观察多晶硅棒（11）时，长度为288μm以下且上述截面中的占有面积比例为78%以上的针状结晶在多晶硅析出体（11b）中以种棒（11a）为中心放射状地均匀分布。
多晶

[发明专利]一种破碎多晶硅棒的装置及方法-CN201010565561.8有效
发明人：孟涛;闫永兵 -专利权人：镇江荣德新能源科技有限公司
申请日： 2010-11-26 - 公布日： 2011-05-18 - 主分类号： B02C19/00 文献下载
摘要：本发明涉及一种多晶硅棒破碎装置及方法，其中多晶硅棒破碎装置包括密封容器和向所述密封容器通入压缩气体的供气装置，所述密封容器设有压缩气体入口和出气门，所述供气装置通过所述压缩气体入口向所述密封容器通入压缩气体本发明提供的多晶硅棒破碎装置及方法将压缩气体压入多晶硅棒的空隙内，然后瞬间减压，使多晶硅棒空隙内的气体迅速向外流动，使多晶硅棒“爆炸”成为碎块。本发明所述的破碎多晶硅棒的方法和装置结构简单、成本低，克服了现有的多晶硅棒破碎装置及方法效率低、成本高的缺点，提供一种成本低、效率高，且由不会对硅原料产生污染的多晶硅棒破碎装置及方法。
一种破碎多晶装置方法

[发明专利]区熔炉多晶棒保温装置及其保温方法-CN201310361470.6有效
发明人：欧阳鹏根;陈明杰;王丹涛;傅林坚;曹建伟;石刚;邱敏秀;蒋庆良 -专利权人：浙江晶盛机电股份有限公司
申请日： 2013-08-19 - 公布日： 2016-10-12 - 主分类号： C30B28/08 文献下载
摘要：本发明涉及半导体制造领域，旨在提供区熔炉多晶棒保温装置及其保温方法。该区熔炉多晶棒保温装置包括设置在多晶棒外部的辅助加热器，辅助加热器的两个端部分别设有接口，接口通过电缆与辅助加热电源相连，辅助加热电源通过信号线依次连接有数据分析模块和红外测温仪；利用该区熔炉多晶棒保温装置对多晶棒进行保温时，红外测温仪实时监测多晶棒下端的温度，数据分析模块通过内置的判断模块来控制辅助加热电源施加在辅助加热器上的电流大小。本发明对多晶棒实现保温，而省去对多晶棒的缓慢冷却和预热过程，一次可节省生产时间一个小时以上，节约电能，并降低多晶棒开裂的风险。
熔炉多晶保温装置及其方法

[发明专利]多晶硅棒对和制备多晶硅的方法-CN201580026001.6有效
发明人：马蒂亚斯·维特兹;斯特凡·费贝尔 -专利权人：瓦克化学股份公司
申请日： 2015-10-29 - 公布日： 2019-02-26 - 主分类号： C01B33/035 文献下载
摘要：本发明涉及制备多晶硅的方法，所述方法包括：沉积多晶硅，从反应器拆除至少一个多晶硅棒对，从至少一个多晶硅棒对的至少两个多晶硅棒的电极侧端除去石墨残留物，将至少两个多晶硅棒粉碎成棒块或碎块，其中在从反应器拆除至少一个多晶硅棒对之前，所述方法包括用由厚度大于150pm的塑料膜制成的塑料袋至少部分地覆盖至少一个多晶硅棒对，其中所述塑料袋在其开口处包含多个配重。本发明还涉及多晶硅棒对，其棒直径为190mm或更大，且被塑料袋覆盖，所述塑料袋由厚度大于150pm的塑料膜制成。
多晶制备方法

[发明专利]一种预热装置及装置平移系统-CN201210311283.2有效
发明人：冷先锋;阮光玉;王楠 -专利权人：北京京运通科技股份有限公司
申请日： 2012-08-28 - 公布日： 2013-01-09 - 主分类号： C30B13/20 文献下载
摘要：本发明公开了一种预热装置及装置平移系统，用于区域熔化多晶硅棒时，预热多晶硅棒，以解决现有技术中区域熔化大直径多晶硅棒预热时间长的问题。本发明提供的预热装置具有能在电流磁场作用下产生感应电流并发热的壳体，壳体内部具有能将多晶硅棒预热部分不接触环绕，且与所述多晶硅棒预热部分形状相似的通孔。通过本发明能够将多晶硅棒预热部分环绕加热，增加多晶硅棒的受热面积，节省了预热时间。
一种预热装置平移系统

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